在中美竞争的关键领域，美国一方面通过政治手段滥用制裁和限制中国企业发展，另一方面通过商业手段以知识产权保护为名刻意打压中国企业独立发展，已经成为两国经济和科技摩擦的新常态。

5月24日，美国宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，简称“宜普公司”）在其官方网站分别以中文和英文发布声明，表示已于当日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（简称“英诺赛科”）的侵犯。 这些专利涵盖了宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造工艺的核心环节。

(资料图片仅供参考)

声明中，宜普公司详述了总部位于中国广东的英诺赛科公司招募两名宜普公司员工并担任其首席技术官和销售及市场主管的相关细节。 两人入职后不久，英诺赛科公司便推出了一套与宜普公司明显相同的产品，并自称其产品在关键性能指标上的表现与宜普公司产品几乎相同。 近期，英诺赛科公司又宣称其许多产品具有 "与市场上现有产品有从引脚到引脚的兼容性"，这其中也包括宜普公司的产品。英诺赛科公司还策划了大胆而积极的营销活动，向宜普公司的客户推销其产品套件。

因此，宜普公司向联邦法院和美国国际贸易委员会起诉英诺赛科公司专利侵权、寻求损害赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。

声明中，宜普公司强调了其是全球氮化镓技术和产品的领导者。宜普公司于2010年推出了首款氮化镓产品，目前拥有57项美国专利和172项全球专利。

宜普公司的联合创始人兼首席执行官Alex Lidow博士被公认为是现代电力转换行业的创始人之一。名下有21项半导体技术专利的Lidow博士，职业生涯始于国际整流器公司（International Rectifier Corporation, IR）。在那里他曾担任研发副总裁，后于1995-2007年担任首席执行官。他曾代表半导体行业协会（International Rectifier Corporation, SIA）参加了促成1986年美日半导体协议的贸易谈判，并多次代表半导体行业向国会作证。

不难发现，在这份宜普公司的官方声明中，还充电突出了其联合创始人兼首席执行官Alex Lidow博士当年参与的美日半导体贸易谈判的历史，再次证明了宜普公司此次针对中国企业发起的专利维权，有着些许重现当年美日半导体争霸的味道。

就在宜普公司这份声明发出后两天，当事方之一的英诺赛科就在5月26日于其官网同样发布了声明予以回应。

来源：英诺赛科官网

英诺赛科在声明中否认了专利侵权，表示经过对宜普公司四项美国专利的分析后认为，并不存在侵权的行为。此外，还对前宜普公司员工入职英诺赛科进行了声明，认为这是正常的人员流动。

同时英诺赛科表示，已在全球范围申请了753件专利，其中129件专利获得授权。

从美国法院在5月24日当天公布的宜普公司的起诉书中，外界能够看到更多的有关案件的细节信息。

01涉案专利

此次宜普公司所主张的四项美国专利分别是：US8,350,294（"294号专利"）；US8,404,508（"508号专利"）；US9,748,347号（"347号专利"）；以及US10,312,335（"335号专利"）。

起诉书中记载，第一个氮化镓场效应晶体管作为耗尽模式的场效应晶体管出现在大约2004年。2009年，宜普公司推出了第一个商业上可行的增强模式的氮化镓。宜普公司的增强模式硅基氮化镓（eGaN® ）场效应晶体管是专门设计用于改进和取代功率MOSFET。

294号专利具体涉及氮化镓场效应晶体管，该专利通过使GaN栅极的导电性降低，减少了不受欢迎的栅极泄漏。宜普公司认为英诺赛科至少侵犯了该专利的权利要求1-3。

508号专利的自对准（单掩模）工艺的结果是增强模式的氮化镓晶体管，其性能和性能都有显著提高。与用传统的多掩模形成的GaN晶体管相比，成本更低。宜普公司认为英诺赛科至少侵犯了该专利的权利要求1。

347号专利涉及制造氮化镓场效应晶体管的方法，该方法减少了对氮化镓场

效应晶体管的使用。宜普公司认为英诺赛科至少侵犯了该专利的权利要求1。

335号专利涉及一种减少栅极漏电流的GaN FET，该专利开发了一种新颖的、非显而易见的GaN FET，其栅极结构具有一对宽度基本相等的位于上表面的自对准的壁架。宜普公司认为英诺赛科至少侵犯了该专利的权利要求1。

上述四件专利的发明人中，除了联合创始人兼首席执行官Alex Lidow博士外，还有一个华人，也是宜普公司的联合创始人及合伙人曹建军博士，根据简历，在加入宜普公司之前，他是清华大学的教学人员。

来源：宜普公司官网

02引起警觉

在起诉书中，宜普公司表示在2023年3月19日在佛罗里达州奥兰多市举行的年度最大的电力电子学会议——“2023年应用电力电子会议”期间。

英诺赛科公司在23日向美国的一些企业、业界人士，包括宜普公司的代表，展示了其氮化镓器件技术。

英诺赛科的演讲突出了其氮化镓器件架构，宜普公司认为该架构结合了宜普公司的专利技术。

在其演讲中，英诺赛科还提到其明确的拓展其在美国的业务的意图。包括智能手机和数据中心行业，宜普公司认为都使用其产品的设计。英诺赛科还强调其对解决成本和大规模制造问题，同时实现氮化镓标准化的目标。英诺赛科甚至宣布，其产品具有 "与现有产品的针脚兼容性"，宜普公司认为这即是包括了宜普公司现有的专利产品。

03争议人员

在起诉书中，宜普公司提到了其两位前员工加入了英诺赛科，担任首席技术管和销售总监。但是英诺赛科的声明中则表示两位技术人员从未担任过首席技术官一职。

宜普公司指出，一位工程师周春华（音译，Chunhua Zhou）先生于2012年受聘于一个研究和开发部门。担任开发角色，需要并允许他访问宜普公司的专利技术信息。

周先生还与宜普公司的测试设施紧密合作，以评估宜普公司产品的可靠性和故障模式，并开发设计改进。在随后的几代宜普公司设备中都采用了这些技术，使他具有独特的获取EPC最机密的技术数据。

周先生于2017年从宜普公司辞职。在辞职之前，周先生管理关键的分析任务，如可靠性鉴定和故障分析。宜普公司的氮化镓器件。周先生也有机会接触到宜普公司专有的客户和产品。

另一位拉里·陈（音译，Larry Chen）是一名中国公民，2011年开始在中国深圳的宜普公司担任现场应用工程师，他同样了解宜普公司的研究和测试数据。与周先生一样，陈先生可以访问宜普公司的供应商名单、客户名单，并了解客户对GaN器件的需求和要求。在他离开宜普公司后，英诺赛科聘请陈先生担任其销售主管。

04结语

这起中美两国企业在第三代半导体关键技术GaN上的知识产权纠纷，目前来看，还只是商业纠纷。然而随着美国政府对于半导体领域对中国的制裁加剧，尤其是担忧所谓的美国商业秘密泄露问题，本案是否会进一步引发美国司法部等相关机构的刑事调查，是值得关注的一个问题。

因为美国政府在过去五六年，为了所谓的国家安全，发起了多项针对华裔员工离职美国企业入职中国公司的刑事调查案件。而宜普公司的本次指控，恰恰又接近于美国政府对华技术封锁政策标准。因此，有效应美国公司提出的知识产权指控，将成为未来中国半导体企业的一项常规的风险预防工作。